重点摘要:

• M31在多项 TSMC 特殊制程技术如嵌入式闪存 (EF)，高压 (HV)和 Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)，开发了优化的 IP 解决方案，协助晶片设计人员实现低功耗、高效能、小面积，以及高度布局绕线弹性的 SoC 设计。
• M31在台积电特殊制程上开发的 IP 包含记忆体编译器 (SRAM Compiler)、标准元件库 (Cell Library )和通用输入/输出元件库 (GPIO)，产品应用涵盖 LCD / LED 驱动、电源管理、高速运算、车用电子、物联网和穿戴式应用等 So C设计。

全球精品硅智财开发商円星科技(M31 Technology，股票代号: 6643)宣布，已在台积电特殊制程上开发一系列优化的IP解决方案，最终目标是协助晶片设计业者实现低功耗、高效能、小面积，以及高度布局绕线弹性的SoC设计。

M31円星科技董事长林孝平表示，「M31积极参与台积电各种技术平台的IP解决方案开发，特别是极具竞争力的嵌入式快闪记忆体制程技术(Embedded Flash Process；EF)、高压(High-Voltage Process；HV)，以及双极性Bipolar-CMOS-DMOS(BCD)制程技术，这些技术的发展最终将协助晶片业者生产更高整合度与更高效率的产品，以满足行动，通信，车用，物联网，显示器等相关产品的需求」。

台积电设计建构行销事业处资深处长Suk Lee表示，「我们对于与M31 Technology在台积电特殊制程合作开发优化IP解决方案的结果感到高兴。这项合作成果结合了M31的先进IP解决方案与台积电领先业界的特殊制程技术，使我们共同的客户能够优化其SoC，并在速度、面积和功耗之间取得成功的平衡」。

M31円星科技在台积电特殊制程开发的硅智财，包括记忆体编译器平台 (SRAM Compiler)、标准元件库 (Standard Cell Library)，以及通用IO元件库 (GPIO，General Purpose Input/ Output Library)，制程涵盖 28EF，40EF, 40EF_ULP, 40HV, 55EF, 55EF_ULP, 110HV, 90BCD, 130BCD, 180BCD 等。

M31円星科技自2012年以来一直是台积电IP联盟计画的成员，自2016年至今已多次获得台积电「特殊制程合作伙伴」奖，该奖项在同类公司中竞争激烈且享有盛誉。 M31将持续投入在TSMC制程技术的IP开发和验证，为全球晶片设计业界提供独特的IP解决方案。